Mémoires FeRAM à base de HfO2
Mémoires non volatiles avancées
Les mémoires sont des composants électroniques utilisés pour le stockage temporaire des données. Il existe deux principales catégories de mémoires, les mémoires autonomes (ex. : clé USB) et les mémoires embarquées. Si les solutions embarquées suscitent beaucoup d’intérêt, les mémoires non volatiles sont devenues un choix de prédilection. Leur capacité à stocker des données, même lorsqu’elles ne sont pas alimentées, les rendent stratégiques pour de nombreuses applications. Plusieurs types de mémoires non volatiles existent. L’une d’entre elles est la mémoire FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory). Voici ses avantages clés :
Nouveautés
Les FeRAM actuelles s’appuient sur des matériaux PZT, qui ont cependant deux inconvénients :
Pour s'assurer que les FeRAM fonctionnent à leur plein potentiel, le CEA-Leti a introduit de nouveaux matériaux à base d'hafnimum (HfO2 et HZO). Les matériaux à base d'hafnium changent le paradigme FeRAM en offrant :
une excellente compatibilité avec les CMOS ;
une flexibilité renforcée par rapport aux matériaux pérovskites ;
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Prochaines étapes
L'équipe du CEA-Leti a récemment démontré des matrices fonctionnelles FeRAM 16 kbit en 130 nm et travaille maintenant sur des démonstrateurs plus complexes utilisant la technologie 22 FDX. L'objectif est que ces démonstrations soient réalisées d'ici fin 2023.
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